5月20日，南昌大學(xué)與頂立科技聯(lián)合培養(yǎng)的首屆博士研究生學(xué)位論文開題和2023屆碩士研究生學(xué)位論文答辯在頂立科技順利舉行。

參加此次博士學(xué)位論文開題的有鄭建新、霍同國兩位博士研究生；參加學(xué)位論文答辯的有胡智臣、龍振、惠枋杰、賈成成四位碩士研究生。學(xué)位論文開題和答辯專家委員會由北京科技大學(xué)材料學(xué)院耿東生教授（同時為南京信息工程大學(xué)化學(xué)與材料學(xué)院主持工作的副院長）、南昌大學(xué)物理與材料學(xué)院副院長譚敦強(qiáng)教授、國防科技大學(xué)空天學(xué)院劉榮軍研究員、中國航天科工集團(tuán)四院第四總體設(shè)計部王思青研究員、頂立科技新材料事業(yè)部首席科學(xué)家譚興龍教授、頂立科技技術(shù)中心主任王艷艷高工組成。戴煜教授課題組的14名博士生與碩士生均在會場或線上聆聽答辯。

南昌大學(xué)是國家“雙一流”計劃世界一流學(xué)科建設(shè)高校、國家“211工程”重點建設(shè)高校，其材料科學(xué)與工程學(xué)科是世界一流學(xué)科建設(shè)點，擁有一級學(xué)科博士點、博士后流動站和“材料物理與化學(xué)”國家重點學(xué)科。

 頂立科技擁有“全國博士后科研工作站”、“湖南省工程實驗室”、“湖南省新型熱工裝備工程技術(shù)研究中心”等創(chuàng)新平臺。具有豐富的智能化沉積熱工裝備研制經(jīng)驗，其自主研發(fā)的多元耦合物理場沉積設(shè)備成功應(yīng)用于快速沉積GaN單晶生長用第三代半導(dǎo)體SiC涂層基座制備，同時在大尺寸復(fù)雜構(gòu)件上快速沉積SiC方面經(jīng)驗豐富。

兩位博士研究生的博士學(xué)位論文將分別涉及航空航天用耐燒蝕C/C復(fù)合材料的制備及性能研究、半導(dǎo)體用SiC涂層的制備及性能等研究。四位碩士研究生的學(xué)位論文工作分別涉及第三代半導(dǎo)體SiC單晶生長所需高純SiC粉制備、第三代半導(dǎo)體SiC單晶生長所需TaC涂層制備、高溫氣冷堆所需耐磨SiC涂層制備、制備超高純碳粉所需的高效節(jié)能新型連續(xù)推舟式提純爐設(shè)計及提純工藝模擬與驗證。所有博、碩論文工作均實驗工作量大，依托頂立科技的科研和生產(chǎn)平臺完成，不僅具有一定創(chuàng)新性，也切合國家戰(zhàn)略需求和地方優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，結(jié)合了南昌大學(xué)和頂立科技優(yōu)勢學(xué)科和優(yōu)勢方向，促進(jìn)了頂立科技高純SiC粉體、TaC涂層、SiC涂層、高純碳粉及其熱工裝備的研發(fā)。答辯委員會在聽取開題匯報和學(xué)位論文內(nèi)容匯報后，通過質(zhì)詢、討論并投票，一致同意兩位博士生開題通過，四位碩士生通過論文答辯并建議授予工程碩士學(xué)位。

近年來，南昌大學(xué)與頂立科技展開校企合作，通過聯(lián)合培養(yǎng)博士生、研究生，實現(xiàn)校企資源優(yōu)化共享，打造了人才培養(yǎng)雙向新平臺，助力產(chǎn)學(xué)研深度融合。